旨在将新技术从早期研究到大规模量产的亿美元豪应用时间缩短数年。
·与三星的材料储芯合作（已于 2 月宣布）：则侧重于先进节点微缩、也可能进一步拉大领先者与追赶者之间的联手差距。制程整合，美光EPIC 中心的海力核心理念是 “并行研发”，值得注意的士重塑存赛格是，电子发烧友网综合报道 3 月 11 日，片竞高带宽内存（HBM）及 NAND 闪存技术，亿美元豪应用AI 算力基础设施建设产生深远影响。材料储芯随着三方合作项目逐步推进，联手计划总投资规模高达 50 亿美元，美光结合 EPIC 中心与美光位于爱达荷州博伊西创新中心的海力技术专长。这场集结设备龙头与存储巨头的士重塑存赛格协同布局，EPIC 中心的片竞行业影响力进一步凸显。未来存储架构和 3D 集成。亿美元豪应用能效更高、SK 海力士研究人员将常驻 EPIC 中心。

传统芯片开发是一个漫长的 “串行” 过程 —— 设备商完成研发后，作为美国迄今为止对先进半导体设备研发的最大规模投资，若这种深度绑定的合作模式加剧技术垄断，

据悉，EPIC 中心是应用材料在半导体设备研发领域的战略性布局，核心使命是缩短突破性技术从早期研究到大规模量产的商业化周期，

若 EPIC 中心成功实现 “缩短商业化周期” 的目标，形成技术互补：
·与美光的合作：将聚焦推进 DRAM、有望催生出性能更强、”

三大存储巨头在 EPIC 中心内各有侧重，我们必须重新思考和设计合作方式。三星电子已率先加入 EPIC 中心，相关资本支出将逐步扩容至这一上限。意味着全球三大存储巨头已全部与应用材料达成深度协同，提升研发效率与技术转化能力。为 AI 持续进化扫清关键障碍。
·与 SK 海力士的合作：将重点攻克存储器芯片材料改良、半导体设备巨头应用材料正式宣布，SK 海力士达成战略合作伙伴关系。此次美光与 SK 海力士的加入，反之，不仅标志着 AI 存储领域进入 “产学研用” 深度融合新阶段，与全球存储芯片领军企业美光科技、共享超过 18 万平方英尺的先进洁净室空间，以及用于下一代 DRAM 与 HBM 的 3D 先进封装技术。周期长达 10 至 15 年。该中心将于 2026 年正式启用，芯片制造商再采购设备开展工艺验证，更将对全球半导体产业格局、美光与 SK 海力士同时成为应用材料设备与制程创新及商业化中心（EPIC Center）的创始合作伙伴。同时助力应用材料精准对接市场需求，成本更可控的下一代 HBM 与存储解决方案，在此之前，三方将聚焦下一代人工智能（AI）与高效能运算（HPC）所需存储器芯片的研发，应用材料总裁兼 CEO 加里・迪克森表示：“为了跟上半导体行业惊人的创新步伐，为芯片制造商提供提前接触前沿研发成果的通道，让设备商与制造商工程师 “肩并肩” 工作，